AlGaNGaN相关论文
第五代移动通信技术随着5G商业化而更加广泛的被使用,更好地服务于我们的日常工作与生活,增强了人与人、人与物、物与物的通信与连......
随着器件工艺尺寸的缩小,应变技术在硅基器件性能提升方面成为了重要手段之一。信息通信技术迅猛发展,推动半导体器件向高功率高频......
半导体功率器件是半导体领域不可缺少的一部分,半导体材料经过几十年的飞速发展,已经迭代到了第三代。其中的GaN因为具有大的禁带......
基于Al GaN/GaN HEMT工艺的射频功率放大器芯片,因为其良好的性能被广泛应用于各种先进设备中。但是作为功率器件,高温对器件性能......
Ⅲ族氮化物半导体材料由于其大的禁带宽度、高电子饱和速度、耐高温、耐击穿和抗辐射等优异的物理化学特性,在高温、高频、大功率......
氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高临界击穿场强、高饱和电子速度、抗腐蚀性强,耐高温等优秀特性,使其成为第三代半导体材料中的佼佼者......
制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的AlGaN/GaN异质结紫外探测器，探测器采用Ni/Au金属作为电极。实验研究了探测器的光电响应特性和I......
成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大......
太赫兹技术是一种新兴科学技术,因其在医学、检测、通信、雷达等领域的应用而受到广泛关注。在众多太赫兹源中,共振隧穿二极管因其......
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMT)是一种基于第三代半导体氮化镓(Ga N)的器件,它有着高载......
近年来,AlGaN/GaN肖特基二极管具备开关速度快、击穿场强高、热性能好等优点,在电源开关领域具有重要应用价值,然而AlGaN/GaN SBD......
GaN基肖特基势垒二极管(SBD)作为一种低功耗、耐高压、耐高温的超高速电子器件,在电力电子和微波领域发挥着十分重要的作用。相比......
回顾了在高温条件下A1GaN/GaN HEMT器件特性的研究进展.发现2DEG的高温特性是影响器件高温性能的根本内在因素,且外延材料的缺陷、......
